BAT54VV_2
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Product data sheet Rev. 02 — 15 January 2010 2 of 9
NXP Semiconductors
BAT54VV
Schottky barrier triple diode in ultra small SOT666 package
3. Ordering information
4. Marking
5. Limiting values
[1] Device mounted on a FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2] Single diode loaded.
6. Thermal characteristics
[1] Refer to SOT666 standard mounting conditions.
[2] Reflow soldering is the only recommended soldering method.
Table 3. Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
BAT54VV - plastic surface mounted package; 6 leads SOT666
Table 4. Marking codes
Type number
Marking code
BAT54VV C6
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
VR
continuous reverse voltage - 30 V
IF
continuous forward current - 200 mA
IFRM
repetitive peak forward
current
tp ≤
1 s;
δ
≤
0.5 - 300 mA
IFSM
non-repetitive peak forward
tp
<
10 ms - 600 mA
current
Ptot
total power dissipation Tamb
≤
25
°C
[1][2]
-170mW
Tj
junction temperature - 125
°C
Tamb
ambient temperature
?65
+125
°C
Tstg
storage temperature
?65
+150
°C
Table 6. Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
in free air
[1][2]
--590K/W
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